特許
J-GLOBAL ID：200903012717219256
単結晶SiCおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207039
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012097
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：
【要約】【課題】 格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の影響が殆どない高品位の単結晶体を設備的に簡単に、かつ効率よく成長させることができ、単結晶SiCの半導体材料としての実用化の促進を図れるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基材1の表面にPVD法もしくは熱CVD法で10μm以上の厚さのβ-SiC層2を形成した後、その複合体MをSiC飽和蒸気圧の雰囲気で、かつ1650〜2400°Cの範囲の温度で熱処理することにより、β-SiC層2の多結晶体をα-SiCに転化させて該SiC層2にα-SiC単結晶基材1の結晶軸と同方位に配向された単結晶5を成長させる。
請求項（抜粋）：
α-SiC単結晶基材の表面に物理的蒸着法もしくは熱化学的蒸着法で10μm以上の厚さのβ-SiC層を形成してなる複合体を熱処理することによって、上記β-SiC層の多結晶体をα-SiCに転化させて該β-SiC層に上記α-SiC単結晶基材の結晶軸と同方位に配向された単結晶を成長させていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 1/02
, H01L 21/20
C30B 29/36 A
, C30B 1/02
, H01L 21/20
