特許

J-GLOBAL ID：200903012719693176

パターン形成方法および装置および半導体集積回路

発明者： 太田 洋也 ,  中山 義則 ,  茂庭 明美 ,  斉藤 徳郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319985
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162103
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】位相シフトマスクでシフタの矛盾が生じる箇所を、マスクパターンを変更することなく微細なパターンを形成する。【解決手段】シフタの自動配置によりシフタを配置し、矛盾箇所を抽出する。この矛盾箇所に該当するパターンから、電子ビーム照射用データを作成し、その部分のみを電子ビーム照射によるパターン形成を行う。同一感光剤に先ず光露光を行い、それに重ね合わせて電子ビーム直接描画を行う。光露光と電子ビーム描画の順序は逆でもよい。光露光と電子ビーム描画を連続して行えば、現像などこれ以降のプロセスは共通にすることができる。

請求項（抜粋）：

光やX線などの電磁波と電子ビームとを同一感光剤に照射することにより特定のパターンを形成するパターン形成方法において、位相シフトマスクを用いて前記光や前記X線などの電磁波の位相を制御して照射することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 528 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 541 P