特許

J-GLOBAL ID：200903012719803214

基板処理方法

発明者： 高見 哲 ,  三部 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227604
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043232
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 パーティクルの巻き上げを防止する。【解決手段】 処理室14に一般排気ライン26と処理排気ライン29とが切換可能に接続されたエピタキシャル装置を使用してウエハ1に薄膜を形成するエピタキシャル処理方法において、一般排気ライン26から処理排気ライン29への切換時または処理排気ライン29から一般排気ライン26への切換時に、差圧計用ライン40のバルブ42、44または43を開いて差圧計41で処理室14の内圧と一般排気ライン26または処理排気ライン29との差圧を監視する状態にしてから、処理排気バルブ31を閉じ、一般排気バルブ28を閉じる。これで、処理室14の内圧が処理排気ライン29または一般排気ライン26の排気圧力よりも陽圧になるよう加圧され排気ラインから処理室への逆流は防止される。【効果】 逆流によるパーティクルの巻き上げや汚染の発生を防止できる。

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、この処理室を排気する複数の排気ラインとを備えた基板処理装置を使用する基板処理方法において、前記排気ライン同士を切り換える際に、前記処理室と前記排気ラインとの差圧を監視して、前記処理室を前記複数の排気ラインのうちこれから切り換える側の排気ラインよりも陽圧に加圧した後に切り換えることを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

Fターム (17件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030HA12 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP15 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EG04 ,  5F045EG05 ,  5F045GB06