特許

J-GLOBAL ID：200903012723307450

化合物半導体素子およびその製造方法

発明者： 森 光廣 ,  小野 秀行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064102
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260400
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】バイアホールを開孔することなく、寄生インダクタンスを低減する。【解決手段】半導体チップに対し、導体配線15でチップ主表面における所望の位置とチップ側面及び裏面を接続する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体のチップの主表面上に形成された電極の一部から上記チップの端まで到る領域と上記チップの側面上を導体配線したことを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/78 L ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/48 H