特許
J-GLOBAL ID:200903012725640327

絶縁樹脂ペースト

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-220018
公開番号(公開出願番号):特開平5-059158
出願日: 1991年08月30日
公開日(公表日): 1993年03月09日
要約:
【要約】【構成】 シリカフィラー、常温で液状のエポキシ樹脂、ビスフェノールF及び潜在性アミン化合物を必須成分とし、該成分中にシリカフィラーを10〜30重量%さらにはシリカフィラー中の10〜50重量%が一次粒子の平均粒径が2〜50μmでかつ表面のシラノール基の50%以上と下記式(1)で示される有機珪素ハロゲン化合物あるいはアルコール類と反応させた疎水性の超微粒子シリカ粉末である半導体素子接着用絶縁樹脂ペースト。Si(R)m(X)n m+n=4(R:メチル、エチル、ブチル、オクチルX:Cl、Br、OCH3、OH)【効果】 揺変度が高く、ディスペンサーによる塗布作業性に優れ、かつその経時変化がない。硬化物の弾性率が低いため、銅フレームとシリコンチップとの熱膨張率の差に基づくチップ歪が非常に少なく応力緩和特性に優れている。
請求項(抜粋):
シリカフィラー(A)、常温で液状のエポキシ樹脂(B)、ビスフェノールF(C)及び潜在性アミン化合物(D)を必須成分とし、該成分中にシリカフィラー(A)が10〜30重量%でシリカフィラー中の10〜50重量%が一次粒子の平均粒径が2〜50nmでかつ表面のシラノール基の50%以上と下記式(1)で示される有機珪素ハロゲン化合物あるいはアルコール類と反応させた疎水性の超微粒子シリカ粉末であることを特徴とする絶縁樹脂ペースト。Si(R)m(X)n (1)m+n=4(R:メチル、エチル、ブチル、オクチルX:Cl、Br、OCH3、OH)
IPC (5件):
C08G 59/62 NJF ,  C08G 59/56 NJD ,  C08L 63/00 NLD ,  C09J163/00 JFN ,  H01B 3/40

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