特許

J-GLOBAL ID：200903012725768099

半導体集積回路装置

発明者： 中元 敏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193370
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013590
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 配線の長距離化に伴う配線遅延時間の増大を抑制し、半導体集積回路装置の高速化をはかる。【構成】 多層配線構造においては、上層の配線層ほど配線ピッチ及び配線幅等の基準はゆるくなっている。この配線基準の差により、上層にいくほど配線抵抗が小さくなる。配線層1はセル(基本回路を構成するもの)内の配線に用い、配線層2、3をセル間の配線に用い、配線層4を電源配線に用いる。セル間の距離が規定値以下のときは配線層2を用い、セル間の距離が規定値を超える場合には配線層3を用いて配線を行う。

請求項（抜粋）：

基本回路がセル単位で用意され、複数の配線層でセル間を接続することにより所定の機能を実現するマスタスライス方式の半導体集積回路装置において、接続を行うべきセル間の距離が予め設定した規定値以上の場合には上層の配線層を用い、規定値以下の場合には下層の配線層を用いてセル間を接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/118 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/82 M ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/88 Z