特許
J-GLOBAL ID:200903012726644709
巨大磁気抵抗センサ製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-028487
公開番号(公開出願番号):特開2001-217484
出願日: 2000年02月07日
公開日(公表日): 2001年08月10日
要約:
【要約】【課題】 低コストの巨大磁気抵抗センサ製造方法を提供する。【解決手段】 センシング用巨大磁気抵抗素子1と温度補償用巨大磁気抵抗素子2を同一基板4に形成して巨大磁気抵抗センサを製造する巨大磁気抵抗センサ製造方法において、温度補償用巨大磁気抵抗素子2の下地7に凹凸、のこぎり形状などの非平坦部を形成した巨大磁気抵抗センサ製造方法である。
請求項(抜粋):
センシング用巨大磁気抵抗素子と温度補償用巨大磁気抵抗素子を同一基板に形成して巨大磁気抵抗センサを製造する巨大磁気抵抗センサ製造方法において、前記温度補償用巨大磁気抵抗素子の下地に非平坦部を形成したことを特徴とする巨大磁気抵抗センサ製造方法。
IPC (3件):
H01L 43/12
, G01B 7/30 101
, G01R 33/09
FI (3件):
H01L 43/12
, G01B 7/30 101 B
, G01R 33/06 R
Fターム (15件):
2F063AA35
, 2F063CB01
, 2F063CB08
, 2F063DB07
, 2F063DD07
, 2F063GA52
, 2F063GA79
, 2F063HA20
, 2F063LA27
, 2G017AA02
, 2G017AB05
, 2G017AB07
, 2G017AC01
, 2G017AC04
, 2G017AD55
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