特許
J-GLOBAL ID:200903012729906577
基板処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-087670
公開番号(公開出願番号):特開2002-367973
出願日: 2002年03月27日
公開日(公表日): 2002年12月20日
要約:
【要約】【課題】ドライエッチングを経た基板にはドライエッチング時に生成された反応生成物が付着している。この反応生成物は次工程のために除去される必要がある。よって、従来技術では基板に対して、反応生成物の除去液を供給して処理を行っている。ここで、基板上で、供給された除去液が着地する着液部分と、そうではない非着液部分とでは着液部分の方が速く処理が完了する。一方で、除去液は基板上の薄膜を僅かながら腐食するので、非着液部分の処理が完了するのを待っていると着液部分の薄膜が腐食されてしまう虞がある。すなわち、処理の面内均一性が確保できなくなる。【解決手段】そこで本発明の基板処理装置1では、基板Wに対して除去液を拡散させて供給する除去液ノズル11を設け、着液部分を広くすることにより、面内均一性の悪化を抑制した。
請求項(抜粋):
レジスト膜をマスクとしたドライエッチングにより生成された反応生成物を、反応生成物の除去液によって除去する基板処理装置であって、基板を水平姿勢で回転可能に保持するスピンチャックと、該基板の上方から除去液を拡散させて噴射する除去液ノズルを有する除去液供給手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, G03F 7/42
, H01L 21/304 643
, H01L 21/306
FI (4件):
G03F 7/42
, H01L 21/304 643 A
, H01L 21/302 102
, H01L 21/306 J
Fターム (16件):
2H096AA25
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 2H096LA02
, 2H096LA03
, 5F004AA14
, 5F004EA10
, 5F004FA07
, 5F004FA08
, 5F043AA37
, 5F043AA40
, 5F043CC16
, 5F043CC20
, 5F043DD15
, 5F043EE07
, 5F043EE08
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