特許
J-GLOBAL ID：200903012733394378
シリコン膜の結晶化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265993
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216029
出願日： 1993年10月25日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 シリコン膜を加熱溶融する際の温度制御が容易で、結晶化又は再結晶化された多結晶シリコン膜内にストレスに起因した欠陥やクラック等が発生し難く、その表面をより平坦にできるシリコン膜の結晶化方法を提供すること。【構成】 カーボンファイバー織布21上にプラズマ溶射法にて多結晶シリコン膜22を製膜しこの表面にスピンコート法により窒化シリコン膜23を製膜する。次に、窒化シリコン膜を1300°C程度の条件でアニールして結晶化させた後、全体をシリコンの融点(1430°C)以上窒化シリコンの分解点(1800°C)以下の温度に加熱して多結晶シリコン膜を溶融し再結晶化させる方法。そして、酸化シリコン膜を適用した従来法に較べて結晶化の際の温度範囲が広いためその温度制御が簡便となり、かつ窒化シリコン膜のビッカース硬度が高いため結晶化後の多結晶シリコン膜表面を平坦にでき、また窒化シリコンとシリコンとの熱膨張係数の差異が小さいためシリコン膜にストレスが生じ難い。
請求項（抜粋）：
基板上に製膜された非晶質又は多結晶シリコン膜を加熱溶融して結晶化又は再結晶化するシリコン膜の結晶化方法において、上記シリコン膜を加熱溶融する前にこのシリコン膜上に窒化シリコンの結晶膜を形成し、かつ、窒化シリコンの分解点以下の温度条件で上記シリコン膜を加熱溶融することを特徴とするシリコン膜の結晶化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, C23C 16/24
, H01L 31/04
