特許
J-GLOBAL ID：200903012733681407
薄膜トランジスタ基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネルおよび液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345088
公開番号（公開出願番号）：特開平5-173181
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】ゲート電極とソース、ドレイン電極とが短絡するのを防止する。【構成】下部透明ガラス基板SUB1にパラジウムを1原子%含むアルミニウムからなる第2導電膜g2を形成し、第2導電膜g2上に純粋なアルミニウムからなる金属膜MTFを形成し、第2導電膜g2、金属膜MTFを選択的にエッチングし、金属膜MTFを陽極酸化して、ゲート電極GTおよび陽極酸化膜AOFを形成する。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタのゲート電極の端面を基板に対して傾斜させたことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133
, G02F 1/1343
