特許

J-GLOBAL ID：200903012733788228

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 諏訪 元大 ,  高橋 裕之 ,  西馬 雅彦 ,  鎌田 千代士
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116266
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333982
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 配線基板上に半導体チップをフェイスダウンボンディングする実装技術において、半導体チップと配線基板との接続信頼性を向上させる。【構成】 半導体チップ2の電極パッド15上に先端の尖ったアンカー部17を設けたAuボール16を形成する工程、配線基板1の電極5上に接合したAuボールを平坦化してAuランド14を形成する工程、上記Auボール16およびAuランド14のそれぞれを加熱して軟化させた後、両者を熱圧着により接合し、Auボール16のアンカー部17をAuランド14に埋め込む。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極パッド上に先端の尖ったアンカー部を設けた金属ボールを形成する工程、配線基板の電極上に金属ボールを接合した後、前記金属ボールの上面を平坦化して金属ランドを形成する工程、前記半導体チップの金属ボールおよび前記配線基板の金属ランドのそれぞれを加熱により軟化させた後、前記金属ボールと前記金属ランドとを熱圧着により接合し、前記金属ボールのアンカー部を前記金属ランドに埋め込む工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/603 ,  H01L 21/321