特許

J-GLOBAL ID：200903012735363518

高強度電解質膜前駆体

発明者： 奥山 和雄 ,  和田 徹
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062242
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260223
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高い弾性率を有し、加水分解により容易に、低電気抵抗のイオン交換膜を与える、電解質膜前駆体を提供する。【解決手段】 成膜後に、この膜のガラス転移点温度以上、分解温度未満の温度範囲内、酸素濃度500ppm以下の条件で、電子線を照射し、その後、2分〜1時間熱処理を行う電解質膜前駆体の製造方法。上記製造方法によって得られる90°Cにおける動的弾性率が4x1.05〜30x105Paであるイオン伝導性官能基前駆体を有する含フッ素重合体電解質膜前駆体。上記電解質膜前駆体を加水分解して得られる電解質膜。

請求項（抜粋）：

90°Cにおける動的弾性率が4x105 〜30x105 Paであるイオン伝導性官能基前駆体を有する含フッ素重合体電解質膜前駆体。

IPC (10件)：

H01B 1/06 ,  B01D 67/00 500 ,  B01D 71/36 ,  C08J 7/00 CEW ,  C08J 7/00 305 ,  H01B 13/00 ,  C08J 5/22 CEW ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10 ,  C08L 27:18

FI (9件)：

H01B 1/06 A ,  B01D 67/00 500 ,  B01D 71/36 ,  C08J 7/00 CEW ,  C08J 7/00 305 ,  H01B 13/00 Z ,  C08J 5/22 CEW ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10

Fターム (61件)：

4D006GA16 ,  4D006MA03 ,  4D006MA06 ,  4D006MA12 ,  4D006MA31 ,  4D006MB16 ,  4D006MB17 ,  4D006MB19 ,  4D006MC22 ,  4D006MC25 ,  4D006MC26 ,  4D006MC27 ,  4D006MC28X ,  4D006MC29 ,  4D006MC30 ,  4D006MC32 ,  4D006MC74X ,  4D006MC75 ,  4D006MC81 ,  4D006MC82 ,  4D006MC84 ,  4D006NA21 ,  4D006NA42 ,  4D006NA54 ,  4D006NA63 ,  4D006NA65 ,  4D006PC80 ,  4F071AA26 ,  4F071AA27 ,  4F071AA30 ,  4F071AF20Y ,  4F071AF39 ,  4F071AG09 ,  4F071AG14 ,  4F071AG28 ,  4F071AH12 ,  4F071BC01 ,  4F071FA02 ,  4F071FA05 ,  4F071FA06 ,  4F073AA27 ,  4F073AA32 ,  4F073BA12 ,  4F073BB01 ,  4F073CA42 ,  4F073CA63 ,  4F073GA01 ,  4F073GA11 ,  4F073HA05 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB01 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026CX08 ,  5H026EE19 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08 ,  5H026HH10