特許

J-GLOBAL ID：200903012737548728

結晶製造装置

発明者： 浅見 政義 ,  道口 健太郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292873
公開番号（公開出願番号）：特開2002-326893
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：

【要約】【課題】 優れた光学特性を有する単結晶を製造するために、水平又はやや上に凸の等温面を形成すると共に結晶成長の起点を一点に決定する結晶製造装置を提供する。【解決手段】 結晶性物質の原料を収納して結晶成長させる略円筒形状の坩堝であって、結晶成長が開始する前記坩堝の下部の外面側断面形状が上に凸であるか、下部にリング状の平板を有する坩堝と、前記坩堝の円筒面の周囲に沿って配置され、前記坩堝を介して前記原料を加熱して溶融する加熱部とを有する結晶製造装置を提供する。

請求項（抜粋）：

結晶性物質の原料を収納して結晶成長させる略円筒形状の坩堝であって、結晶成長が開始する前記坩堝の下部の外面側断面形状が上に凸である坩堝と、前記坩堝の円筒面の周囲に沿って配置され、前記坩堝を介して前記原料を加熱して溶融する加熱部とを有する結晶製造装置。

IPC (5件)：

C30B 29/12 ,  C30B 15/10 ,  G02B 1/02 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C30B 29/12 ,  C30B 15/10 ,  G02B 1/02 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 515 D

Fターム (10件)：

2H097CA13 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD02 ,  4G077EG01 ,  4G077HA01 ,  4G077MB04 ,  5F046CB12