特許
J-GLOBAL ID：200903012744157947
半導体シリコンウェーハの保管方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-217385
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083783
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ表面への微粒子の付着が低減し、また研磨剤中のアルカリ成分によるウェーハ表面のエッチングが防止され、したがって、ウェーハ表面粗さ(マイクロラフネス)の悪化を防止することを可能とした半導体ウェーハの保管方法を提供する。【構成】 研磨後の半導体シリコンウェーハを、次の洗浄処理を行うまでの間、オゾンを含有した純粋中に保管する。
請求項（抜粋）：
研磨後の半導体シリコンウェーハを、次の洗浄処理を行なうまでの間、オゾンを含有した純水中に保管することを特徴とする半導体シリコンウェーハの保管方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
