特許

J-GLOBAL ID：200903012748479515

半導体装置およびその製造方法

発明者： 高野 浩志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007189
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211158
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】バイポーラトランジスタのエミッタコンタクトとなるN+ 型層を低温で形成する。【構成】N型シリコン基板1にN- 型エピタキシャル層2を成長し、二酸化シリコン膜3を形成したのち、P型MBE層4およびP- 型MBE層5を成長する。つぎに二酸化シリコン膜6およびCVD窒化シリコン膜8を形成したのち、フォトレジスト9をマスクとして、エミッタを開口する。つぎにMBE装置において、常温でアンチモンドープアモルファスシリコンを堆積したのち、730°Cの熱処理で固相成長させてエピタキシャル/ポリシリコン界面のあるN+ 型層10を形成し、パターニングしてエミッタコンタクトとする。

請求項（抜粋）：

アンチモンドープエピタキシャル層の上にアンチモンドープアモルファスシリコン層が形成されたエミッタがベース層の上に形成されたNPNバイポーラトランジスタを含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-187864
  
• 特開平2-036526
  
• 特開昭61-089667
  
• 特開昭59-186367