半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025100
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223813
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】本発明は、シリコンコンパウンドや接着剤を、半導体素子と金属板との接合部に充填する際、半導体素子と放熱板との間隔を一定に保ち、所要の絶縁性を確保するために、接合部において、絶縁材をスペーサーとして介在させることにより、達成される。【解決手段】半導体素子と金属板とを接合した構造の半導体装置において、該半導体素子と該金属板との間に、その所要箇所で、絶縁材料よりなるスペーサを配置し、前記スペーサによって形成された両者間の空隙には接着剤が充填、固化されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子と金属板とを接合した構造の半導体装置において、該半導体素子と該金属板との間に、その所要箇所で、絶縁材料よりなるスペーサを配置し、前記スペーサによって形成された両者間の空隙には接着剤あるいはシリコンコンパウンドが充填、固化されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/40 , H01L 23/36 , H01L 23/373

FI (3件)：

H01L 23/40 F , H01L 23/36 D , H01L 23/36 M

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