特許

J-GLOBAL ID：200903012757141098

半導体素子評価方法

発明者： 福田 早苗 ,  天川 博隆 ,  中村 光利 ,  金村 貴永
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-337067
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186088
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 ストリングを形成する境界点の位置関係の認識に要する計算時間を短縮し、高速な半導体素子評価方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体素子の所定の部分の形状を点(境界点)と点(境界点)とを結ぶ線分の連なりであるストリングにより閉じた領域で表現し、前記半導体素子の表面形状が変化する工程をシミュレーションにより評価を行う方法において、半導体素子の物質領域のストリングであって空気領域に接する表面ストリングを抽出する表面ストリング抽出ステップ101と、前記半導体素子の各物質領域並びに前記空気領域の内側に、その各領域固有の識別子を付加する識別子付加ステップ102と、前記抽出された表面ストリングの位置の変化によるストリング同士の交点を、前記表面ストリングを構成する各点列の周囲の識別子を調べることで検出する交点検出ステップ(103〜106)を具備してある。

請求項（抜粋）：

半導体素子の所定の部分の形状を点と点とを結ぶ線分の連なりであるストリングにより閉じた領域で表現し、前記半導体素子の表面形状が変化する工程をシミュレーションにより評価を行う方法において、半導体素子の物質領域のストリングであって空気領域に接する表面ストリングを抽出する表面ストリング抽出ステップと、前記半導体素子の各物質領域の内側並びに前記空気領域側に、その各領域固有の識別子を付加する識別子付加ステップと、前記抽出された表面ストリングの位置の変化によるストリング同士の交点を、前記表面ストリングを構成する各点列の周囲の識別子を調べることで検出する交点検出ステップと、を具備することを特徴とする半導体素子評価方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  G06F 17/00 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/302 Z ,  G06F 15/20 D ,  G06F 15/60 666 S