サファイア単結晶育成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-044508
公開番号（公開出願番号）：特開2005-231958
出願日： 2004年02月20日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】本発明は凸度が小さく、結晶中に気泡の混入しないサファイア単結晶の製造を可能とする単結晶育成装置の提供にある。【解決手段】チャンバー内に設けられた装置要部が、高周波誘導コイルと、耐火性坩堝と、イリジウム坩堝と、断熱材と、耐火性坩堝支持筒と、筒状ヒーターとからなり、耐火性坩堝内にイリジウム坩堝が断熱材を介して納められており、この耐火性坩堝の底部に、その内部に筒状ヒーターが設けられた耐火性坩堝支持筒が、前記筒状ヒーターの上面が前記耐火性坩堝の底面に接するように設けられ、これらが高周波誘導コイル内の空間部に収納されている構造を採る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア単結晶をチョクラルスキー法で育成するための装置であり、チャンバー内に設けられた装置要部が、高周波誘導コイルと、耐火性坩堝と、イリジウム坩堝と、断熱材と、耐火性坩堝支持筒と、筒状ヒーターとからなり、耐火性坩堝内にイリジウム坩堝が断熱材を介して納められており、この耐火性坩堝の底部に、その内部に筒状ヒーターが設けられた耐火性坩堝支持筒が、前記筒状ヒーターの上面が前記耐火性坩堝の底面に接するように設けられており、これらが高周波誘導コイル内の空間部に収納されている構造を採ることを特徴とするサファイア単結晶育成装置。

IPC (2件)：

C30B29/20 , C30B15/14

FI (2件)：

C30B29/20 , C30B15/14

Fターム (9件)：

4G077AA02 , 4G077BB01 , 4G077CF10 , 4G077EG18 , 4G077EG25 , 4G077PE04 , 4G077PE07 , 4G077PE12 , 4G077PE14

引用特許：

出願人引用 (1件)

酸化物単結晶の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-253946 出願人：株式会社村田製作所

前のページに戻る