特許
J-GLOBAL ID：200903012768494570
方位センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000499
公開番号（公開出願番号）：特開平11-194158
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 形状を小型にすることが可能であり、かつ地磁気による磁力線の方位を精密に測定できる方位センサを提供する。【解決手段】 外部磁界による磁力線のX軸およびY軸方向の成分を検出する第1、第2の磁気インピーダンス効果素子(以下MI素子と略す)2、3と、MI素子2、3にバイアス磁化を印加する巻線5、6とを備え、MI素子2、3が、それぞれに印加される交流電流の電流路が直交するように同一平面4に配置され、MI素子2、3が、粒径50nm以下の微細な結晶粒からなる結晶相と非晶質相とを主体とし、Fe、Co、Niのうちの1種または2種以上の元素と、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Wのうちの1種または2種以上の元素と、Bとを含む軟磁性合金であることを特徴とする方位センサ1を採用する。
請求項（抜粋）：
外部磁界による磁力線の方位の検出手段として、Fe、Co、Niのうちの1種または2種以上の元素を含み、平均結晶粒径50nm以下の微細な結晶相と非晶質相とを主体し、交流電流を印加するときにインピーダンスが外部磁界に依存して変化する軟磁性合金からなる磁気インピーダンス効果素子を備えることを特徴とする方位センサ。
IPC (5件)：
G01R 33/02
, C22C 38/00 303
, G01C 17/30
, G01V 3/40
, H01F 21/08
G01R 33/02 D
, C22C 38/00 303 V
, G01C 17/30 A
, G01V 3/40
, H01F 21/08
