半導体素子の冗長回路の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174304
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046048
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】ヒューズ上の絶縁膜の膜減りを低減をするとともに、ヒューズのレーザーリペア時のクラックの発生及び隣接配線とのショートを防止し得る半導体素子の冗長回路の製造方法を提供する。【構成】多層アルミニウム合金膜配線構造の半導体素子の冗長回路の製造方法において、ヒューズ22を形成する工程と、CVD酸化膜(第1の絶縁膜)23を生成する工程と、このヒューズ22上にダミーアルミニウム合金膜(ストッパ膜)25及び第1層アルミニウム合金膜配線24を形成する工程と、層間膜(第2の絶縁膜)26を生成する工程と、第2層アルミニウム合金膜配線27を形成する工程と、ヒューズウインドウより外側になるように層間膜26をストッパ膜25をストッパ膜としてエッチングし、絶縁膜除去ウインドウを形成する工程と、露出したストッパ膜25をエッチングする工程と、パッシベーション膜29を生成し、ヒューズウインドウ31の形成を行う工程とを施す。

請求項（抜粋）：

多層アルミニウム合金膜配線構造の半導体素子の冗長回路の製造方法において、(a)ヒューズを形成する工程と、(b)第1の絶縁膜を生成する工程と、(c)前記ヒューズ上にダミーアルミニウム合金膜及び第1層アルミニウム合金膜配線を形成する工程と、(d)第2の絶縁膜を生成する工程と、(e)第2層アルミニウム合金膜配線を形成する工程と、(f)ヒューズウインドウより外側になるように前記第2の絶縁膜を前記ダミーアルミニウム合金膜をストッパ膜としてエッチングし、絶縁膜除去ウインドウを形成する工程と、(g)露出した前記ダミーアルミニウム合金膜をエッチングする工程と、(h)パッシベーション膜を生成し、ヒューズウインドウの形成を行う工程とを施すことを特徴とする半導体素子の冗長回路の製造方法。

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