特許

J-GLOBAL ID：200903012771598718

半導体ウェーハの赤外吸収測定法

発明者： 竹下 真理子
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-144686
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340794
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】 検出感度を向上させるための不純物測定用の厚い試料を別に準備することなく、半導体ウェーハ形状・厚みのままで1014atoms/cm3レベルの不純物を測定することが可能となる方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウェーハに赤外光を透過させて、前記半導体ウェーハを評価する赤外吸収測定法において、前記半導体ウェーハのウェーハ平面に対して平行方向に赤外光を透過させる半導体ウェーハの赤外吸収測定法。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハに赤外光を透過させて、前記半導体ウェーハを評価する赤外吸収測定法において、前記半導体ウェーハのウェーハ平面に対して平行方向に赤外光を透過させることを特徴とする半導体ウェーハの赤外吸収測定法。

IPC (4件)：

G01N 21/35 ,  G01N 21/01 ,  H01L 21/66 ,  G01N 21/956

FI (4件)：

G01N 21/35 Z ,  G01N 21/01 B ,  H01L 21/66 L ,  G01N 21/956 A

Fターム (20件)：

2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB06 ,  2G051BA06 ,  2G051CA02 ,  2G051CB02 ,  2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059CC20 ,  2G059DD13 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059GG00 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059KK01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CB01 ,  4M106DH13