特許

J-GLOBAL ID：200903012773154620

SOI基板の製造方法

発明者： 佐藤 弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296242
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109677
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板の製造において、基板同士の貼り合わせ後の研削時における基準面のばらつきを小さくする。【構成】 シリコン基板1,2の貼り合わせ後に行われる貼り合わせ強度の増強のための熱処理を酸化雰囲気とし、シリコン基板1,2の周囲にシリコン酸化膜5を形成する。このシリコン酸化膜5は研削時の基準面7を面取り加工の加工歪み除去のためのエッチングから保護し、基準面7のばらつきが小さくなり、研削面の表面均一性が向上する。

請求項（抜粋）：

貼り合わせられた複数のシリコン基板を酸素雰囲気中で熱処理して基板全体に酸化膜を形成した後、基板外周部の面取り加工を行い、次いで前記酸化膜をマスクとするエッチングを行った後、前記酸化膜を前記シリコン基板から除去することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/12