特許
J-GLOBAL ID：200903012775346918
真空蒸着装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257544
公開番号（公開出願番号）：特開平9-095770
出願日： 1995年10月04日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】水平方向への蒸着、薄膜化を可能とする真空蒸着装置を提供する。【解決手段】活性ガス及び/又は不活性ガスを導入可能な真空槽1と、真空槽内において蒸発物質を蒸発させるための蒸発源22と、真空槽内に配備され基板7を蒸発源22と対向するように保持するサンプルホルダー8bと、蒸発源とサンプルホルダーの間に位置し不必要な場合に蒸発物質を遮ることが可能なシャッター6を有する真空蒸着装置において、蒸発源とサンプルホルダーは水平な位置に配備され水平方向への蒸発物質の真空蒸着が可能であり、蒸発源22として、Mo,Ta,W,Al,Cu,ステンレスの何れかの金属からなり蒸発物質が蒸発した時に内部の圧力が真空槽の圧力よりも大きくなるように密封し蒸発物質を側壁に配備した一個又は複数個の円形噴射口24から噴射させることが可能なカプセルを用い、これを抵抗加熱法により直接又は間接的に加熱する構成とした。
請求項（抜粋）：
活性ガスもしくは不活性ガスあるいはこれら両者の混合ガスを導入可能な真空槽と、この真空槽内において蒸発物質を蒸発させるための蒸発源と、前記真空槽内に配備され基板を蒸発源と対向するように保持するサンプルホルダーと、前記蒸発源とサンプルホルダーの間に位置し不必要な場合に蒸発物質を遮ることが可能なシャッターとを有する真空蒸着装置において、前記蒸発源とサンプルホルダーは水平な位置に配備され、水平方向への蒸発物質の真空蒸着が可能であり、前記蒸発源として、モリブデン(Mo),タンタル(Ta),タングステン(W),アルミニウム(Al),銅(Cu),ステンレス(SUS)の何れかの金属からなり、蒸発物質が蒸発した時に内部の圧力が真空槽の圧力よりも大きくなるように密封され、蒸発物質を側壁に配備した一個あるいは複数個の円形噴射口から噴射させることが可能なカプセルを用い、このカプセルを抵抗加熱法により直接もしくは間接的に加熱することを特徴とする真空蒸着装置。
IPC (3件)：
C23C 14/14
, C23C 14/24
, C23C 14/54
C23C 14/14 D
, C23C 14/24 A
, C23C 14/24 J
, C23C 14/54 C
