特許
J-GLOBAL ID：200903012775916838
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337105
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201700
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 反射防止膜を含む半導体装置の製造工程の効率化を図ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板2の上に金属材料よりなる配線層4を形成する工程と、この配線層4の上に、この配線層4と同一の金属材料を用いて、金属-シリコン-酸素を有する化合物を含む反射防止膜6を形成する工程とを有している。これにより、同一の装置を用いて配線層4と反射防止膜6とを形成することが可能となり、また、同一のエッチング材を用いて配線層4と反射防止膜6とを加工することが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板の上に金属材料よりなる配線層を形成する工程と、前記配線層の上に、前記配線層と同一の金属材料を用いて、金属-シリコン-酸素を有する化合物を含む反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定形状のパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターンに従って、前記配線層および前記反射防止膜のパターニングを行なう工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
