特許

J-GLOBAL ID：200903012776386085

高強度スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： シーガル, ヴラディミアー ,  フェラッセ, ステファン ,  ウィレット, ウィリアム, ビー.
出願人/特許権者： ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 石原 昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-545613
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517101
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2003年05月20日
要約：

【要約】側方押し出し法の適用を含む高品質スパッタリングターゲット及び製造方法を開示する。

請求項（抜粋）：

鋳造を含む処理により作られる、ターゲット面を有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットは、 a) 如何なる場所においても実質的に均質な組成物であり、 b) 孔隙、空隙、含有物及び他の鋳造の欠陥が実質的に無く、 c) 析出物が実質的に無く、 d) 約1μm以下の粒子サイズであり、 e) 如何なる場所においても実質的に均一な構造及びテクスチャである、 という特徴を有するスパッタリングターゲット。

IPC (11件)：

C23C 14/34 ,  B21C 23/00 ,  B22D 7/00 ,  C22F 1/04 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 612 ,  C22F 1/00 613 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 692

FI (11件)：

C23C 14/34 A ,  B21C 23/00 A ,  B22D 7/00 G ,  C22F 1/04 A ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 612 ,  C22F 1/00 613 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 691 Z ,  C22F 1/00 692 Z

Fターム (6件)：

4E029AA06 ,  4E029AA07 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC08