特許

J-GLOBAL ID：200903012779729765

接合型半導体素子

発明者： 三戸 美生
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 粟野 重孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065765
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283750
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 放射線や光のエネルギーを電気量に変換する接合型半導体素子の放射線に対する感度・分解能の向上と、光に対する応答速度の向上。【構成】 シリコン単結晶基板1の全面に膜厚100nm〜300nmの非晶質シリコンカーバイト膜2を平行平板型プラズマCVD装置で形成する。両面にオーミック電極としてのアルミニウム膜3を抵抗加熱蒸着装置で形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板上に膜厚100nm〜300nmの非晶質半導体薄膜を積層してなることを特徴とする接合型半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/09

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-222179
  
• 特開昭59-008892
  
• 特開昭64-081276