特許

J-GLOBAL ID：200903012785838592

半導体センサ

発明者： 山本 洋介
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049693
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252237
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明はセンサ素子がスクライブ線に可及的に近接できるようにした半導体センサを提供する。【解決手段】半導体基板1上にP領域でアイソレートされたセンサ素子を一列に複数形成し、所定数のセンサ素子を単位としてスクライブされて成る半導体センサにおいて、スクライブ線4に隣接する部分のアイソレート用P+領域5、6を他のアイソレート用P領域3A、3B、3Cよりも浅く形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にP領域でアイソレートされたセンサ素子を一列に複数形成し、所定数のセンサ素子を単位としてスクライブされて成る半導体センサにおいて、スクライブ線に隣接する部分のアイソレート用P領域を他の部分のアイソレート用P領域よりも浅く形成したことを特徴とする半導体センサ。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/761 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/76 J ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A

Fターム (22件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA09 ,  5F032AB02 ,  5F032BA02 ,  5F032CA03 ,  5F032CA15 ,  5F032CA18 ,  5F032DA43 ,  5F049MA02 ,  5F049MA12 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049PA17 ,  5F049QA13 ,  5F049RA02 ,  5F049TA03 ,  5F049TA09 ,  5F049TA12 ,  5F049TA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-343263
  
• 特開平4-343263