半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-272321
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116225
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体レーザでは、価電子帯の状態密度低減と遷移確率増大によるしきい値キャリア密度の低減が必要であった。【解決手段】面方位が(1-100)面、あるいは(11-20)面、あるいはこれと等価な面である基体結晶上に二軸性の引っ張り歪をもつ量子井戸活性層を成長し、共振器を[0001]方向に垂直な方向に作製する。【効果】本発明によれば、価電子帯上部の状態密度を低減し、かつ、遷移確率を増大できる。これにより、しきい値電流密度を低減できるため、窒化ガリウム系化合物半導体レーザを実現できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも化合物半導体で構成され、ウルツ鉱構造をもつ第一の結晶上に、第一導電型及び第二導電型の二層のクラッド層と、上記クラッド層に挟まれた量子井戸活性層をエピタキシャル成長してなる半導体発光素子であって、上記量子井戸活性層が(1-100)面から10度以内のずれを有する面、あるいはこれと等価な面上に形成されており、上記量子井戸活性層の井戸層が、二軸性応力の無い状態での格子定数が上記第一の結晶の格子定数より小さい材料で構成されていることを特徴とする半導体発光素子。

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