特許
J-GLOBAL ID:200903012788710740

熱電変換用サーモモジュール及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須田 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-295447
公開番号(公開出願番号):特開平8-153899
出願日: 1994年11月30日
公開日(公表日): 1996年06月11日
要約:
【要約】【目的】 工程数が比較的少なく単純で、ペルチェ効果を有するためのN型半導体化合物素子とP型半導体化合物素子の配置及び電極との接続が容易であって、熱電変換用サーモモジュールを効率良く量産し得る。機械的強度が高く、素子間に塵埃などが入らず信頼性が高い。【構成】 熱電変換用サーモモジュール10は、間隔をあけて複数の透孔11が設けられた絶縁性型枠12と、これらの透孔11に交互に充填されたN型半導体化合物素子13とP型半導体化合物素子14と、型枠12の上面及び下面で一対のN型半導体化合物素子13とP型半導体化合物素子14とをN,P,N,Pの順に電気的に直列に接続する複数の電極16,17と備え、型枠12とN型及びP型半導体化合物素子13,14と電極16,17とが一体的に固着されたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
間隔をあけて複数の透孔(11)が設けられた絶縁性型枠(12)と、前記複数の透孔(11)に交互に充填されたN型半導体化合物素子(13)とP型半導体化合物素子(14)と、前記型枠(12)の上面及び下面で一対のN型半導体化合物素子(13)とP型半導体化合物素子(14)とをN,P,N,Pの順に電気的に直列に接続する複数の電極(16,17)とを備えた熱電変換用サーモモジュール(10)であって、前記型枠(12)と前記N型及びP型半導体化合物素子(13,14)と前記電極(16,17)とが一体的に固着されたことを特徴とする熱電変換用サーモモジュール。
IPC (2件):
H01L 35/32 ,  H01L 35/34

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