特許

J-GLOBAL ID：200903012795022787

垂直微小共振器型発光ダイオード

発明者： 小椋 茂樹 ,  藤原 博之 ,  登 正治
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343969
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174329
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 発光効率の高い垂直微小共振器型発光ダイオードを提供する。【解決手段】 1対の多層反射層3,10によって共振器長が発光波長が1/2波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層6設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層6が存在するようになし、共振器QED効果によって自然放出が増強される構造とする。量子井戸層6の両側にキャリア滲みだし防止層5a,5bを設けた構成とすることにより、量子井戸層6内でのキャリアの存在確率を増大させ、発光再結合の割合を上げる。

請求項（抜粋）：

量子井戸層を含む発光層と、当該発光層を挟んで両側に設けられた1対のクラッド層と、1対の当該クラッド層を挟んで両側に設けられた1対の多層反射層とを有する垂直微小共振器型発光ダイオードにおいて、前記量子井戸層に接して両側に設けられ、かつ、前記クラッド層よりも小さいバンドギャップを有する、1対のキャリア滲みだし防止層を備えている、ことを特徴とする垂直微小共振器型発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 677

Fターム (20件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F041FF13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA07 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05