特許
J-GLOBAL ID:200903012798298287
薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 恵一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-336821
公開番号(公開出願番号):特開平6-162440
出願日: 1992年11月25日
公開日(公表日): 1994年06月10日
要約:
【要約】【目的】 精度の高いパターニングが容易に行える薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法を提供する。【構成】 フォトレジスト10、40による通常テーパのポジパターンをまず形成し、その上に所定の金属物質によるリフトオフ膜11、41をドライプロセスによって形成し、上述のフォトレジスト10、40を除去した後、所望の物質による薄膜12、42を成膜し、その後、この金属物質によるリフトオフ膜11、41を選択的に溶解する。
請求項(抜粋):
フォトレジストによる通常テーパのポジパターンを形成し、その上に所定の金属物質によるリフトオフ膜をドライプロセスによって形成し、前記フォトレジストを除去した後、所望の物質による薄膜を成膜し、その後、前記金属物質によるリフトオフ膜を選択的に溶解することを特徴とする薄膜磁気ヘッドにおける薄膜パターン形成方法。
IPC (3件):
G11B 5/31
, G11B 5/39
, H01L 43/12
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