特許
J-GLOBAL ID:200903012799861562

電子セラミック部品の端子電極形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田村 弘明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-054926
公開番号(公開出願番号):特開平5-275272
出願日: 1991年03月19日
公開日(公表日): 1993年10月22日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、端子電極形成に際し、製造工程が従来法でのメッキ工程が省略できかつ、端子電極焼付けとセラミック焼成を同時に実施する、端子電極形成方法を提供するものである。【構成】 40〜60wt%Cu-60〜40wt%Ni組成からなる合金ペーストを、脱脂後のセラミック素体の端子部に塗布し、端子電極焼付けとセラミック焼成を同時に実施することを特徴とする。【効果】 工程省略による、製造時間短縮、電気的性質(耐湿劣化、絶縁劣化)の改善の効果がある。
請求項(抜粋):
卑金属を内部電極とし、その両極を配置される電子セラミック部品を製造するに際し、該部品の焼成前に40〜60wt%Cu-60〜40wt%Niを主成分とする合金ペーストを該部品の端子両端に塗布し、その後、該部品の焼成及び端子電極焼き付けを同時に行なうことを特徴とする、端子電極形成方法。

前のページに戻る