半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-286175
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129297
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】配線のAl系材料の上部,側壁部でのヒロックやボイドの発生を抑制する。【構成】層間絶縁膜12上にAl系材料(Al-1%Si-0.5%Cu膜)13および第1の高融点金属膜(TiN膜)14を順次堆積した後、ホトリソグラフィおよびエッチングによって配線パターンにパターンニングする。さらに、CVD法によって第2の高融点金属膜(TiN膜)16を堆積した後、各配線間の第2の高融点金属膜16を層間絶縁膜12が露出するまでエッチバックする。こうして、中心部がAl系材料で形成されその上部および側壁部が高融点金属膜で覆われた配線を形成する。この配線は、Al系材料の上部および側壁部でのマイグレーションが抑制されるため、上記上部,側壁部におけるヒロックおよびボイドの発生が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体層上に配線を有する半導体装置において、上記配線は、Al系材料とこのAl系材料の少なくとも上部および側壁部を覆う高融点金属膜で形成されたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (20件)

特開平2-035731
特開昭63-169045
特開昭63-073646

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