透過型液晶表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221055
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042361
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】開口率を損なうことなく効果的に遮光でき、簡素な構成で、工程が短く、高歩留りでかつ低コストに製造できる透過型液晶表示装置を提供する。【解決手段】遮光材料からなる信号配線7,ゲート配線4,補助容量配線5および引き出し電極17の下側に絶縁膜を介して画素毎に半導体薄膜2を形成する。上記信号配線7の下側かつゲート配線4の下側の半導体薄膜2の領域をTFT10のチャネル領域2aとし、信号配線7の下側かつチャネル領域2aの両側の半導体薄膜2の領域をTFT10のソース領域2b,ドレイン領域2cとする。また、上記補助容量配線5の下側の半導体薄膜2の領域を補助容量電極領域2dとする。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、ゲート配線と、上記ゲート配線に直交する信号配線と、上記ゲート配線に略平行で上記信号配線に直交する補助容量配線と、上記信号配線にソース領域またはドレイン領域のいずれか一方が接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域のいずれか他方が引き出し電極を介して接続された画素電極とが形成された液晶表示装置において、上記信号配線,ゲート配線,補助容量配線および引き出し電極は遮光材料からなり、上記信号配線,ゲート配線,補助容量配線および引き出し電極の下側に絶縁膜を介して上記画素電極毎に半導体薄膜を形成し、上記信号配線の下側かつ上記ゲート配線の下側の上記半導体薄膜の領域を上記薄膜トランジスタのチャネル領域とし、上記信号配線の下側かつ上記チャネル領域の両側の上記半導体薄膜の領域を上記薄膜トランジスタのソース領域,ドレイン領域とし、上記補助容量配線の下側の上記半導体薄膜の領域を補助容量電極領域としたことを特徴とする透過型液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/1365 , G09F 9/30 338 , H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 619 B

Fターム (59件)：

2H092GA32 , 2H092GA34 , 2H092HA12 , 2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB22 , 2H092JB54 , 2H092JB64 , 2H092JB69 , 2H092NA07 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 5C094AA42 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA03 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EA10 , 5C094ED15 , 5C094FB19 , 5F110AA06 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN35 , 5F110NN42 , 5F110NN44 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP13

引用特許：

審査官引用 (4件)

液晶パネル及びその製造方法並びに電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-351813 出願人：セイコーエプソン株式会社
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-009156 出願人：シャープ株式会社
イメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-306517 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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