特許

J-GLOBAL ID：200903012808455068

固体撮像素子の製造方法

発明者： 小谷 浩司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164800
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353798
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 固体撮像素子の製造方法に関し、例えば、CCDデバイス構造を有する平坦化膜面にマイクロレンズ材を密着良好に形成させる固体撮像素子の製造方法に関するものである。【解決手段】 半導体基板上に、固体撮像デバイス構造、有機平坦化膜及びマイクロレンズ材を順次形成させてなる固体撮像素子の製造方法において、前記固体撮像デバイス構造上に前記有機質平坦化膜を形成させた後、前記有機平坦化膜上に酸素(O2 )プラズマアッシング処理を行い、次いで前記マイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、固体撮像デバイス構造、有機平坦化膜及びマイクロレンズ材を順次形成させてなる固体撮像素子の製造方法において、前記固体撮像デバイス構造上に前記有機質平坦化膜を形成させた後、前記有機平坦化膜上に酸素(O2 )プラズマアッシング処理を行い、次いで前記マイクロレンズを形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

Fターム (10件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GD04