特許

J-GLOBAL ID：200903012808668525

光電変換装置

発明者： 新楽 浩一郎 ,  吉田 裕章 ,  白間 英樹
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-313293
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153632
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 パターンエッジでの暗電流を低く抑えることができ、特に低照度領域での変換効率の優れた光電変換装置を提供すること。【解決手段】 p型もしくはn型の結晶シリコンから成る基板1の一主面側に裏面電極層8を設けるとともに、基板1の他主面上に、i型の第1非晶質シリコン層2、p型もしくはn型で且つ第1非晶質シリコン層2より狭い被着面積の第2非晶質シリコン層3、及び受光面電極層4を順次積層させて成る。

請求項（抜粋）：

p型もしくはn型の結晶シリコンから成る基板の一主面側に裏面電極層を設けるとともに、前記基板の他主面上に、i型の第1非晶質シリコン層、p型もしくはn型で且つ前記第1非晶質シリコン層より狭い被着面積の第2非晶質シリコン層、及び受光面電極層を順次積層させて成る光電変換装置。