特許

J-GLOBAL ID：200903012808831450

半導体装置の製造方法

発明者： 船井 尚 ,  牧田 直樹 ,  山元 良高 ,  森田 達夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331626
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192998
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 高品質な結晶性シリコン膜を基板全面にわたって作製し、高性能で安定した特性の半導体素子を実現するための半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 非晶質シリコン膜にその結晶化を助長する金属元素を導入し、加熱処理により前記非晶質シリコン膜を結晶化する。前記工程において結晶化した結晶性シリコン膜の表面を強制的に酸化させ、被酸化部分をエッチングして除去することにより、結晶性シリコン膜中の不純物および結晶性シリコン膜表面の汚染物質の除去が同時に行え、高品質な結晶性シリコン膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板上に実質的な非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記工程の前または後において、結晶化を助長する金属元素を前記非晶質シリコン膜の一部に選択的に導入する工程と、加熱によって前記非晶質シリコン膜を前記金属元素が選択的に導入された領域の周辺部において、基板表面に対し概略平行な方向に結晶成長を行わせる工程と、前記工程において結晶化した結晶性シリコン膜の表面を強制的に酸化させる工程と、前記結晶性シリコン膜表面の被酸化部分をエッチングして除去する工程とを少なくとも有し、前記工程における結晶性シリコン膜を素子形成領域とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347643   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所