特許
J-GLOBAL ID:200903012809875370

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-010331
公開番号(公開出願番号):特開2003-218110
出願日: 2002年01月18日
公開日(公表日): 2003年07月31日
要約:
【要約】【課題】 高品質の新規な半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置100は、基板10の上方に形成されたパッド20と、パッド20の一部を覆うように形成され、少なくとも第1絶縁層24を含むパッド絶縁層18と、パッド20上のパッド絶縁層18に形成された開口部50とを含む。開口部50の側壁は、第1絶縁層24に比して吸湿性が低い保護層28で覆われている。
請求項(抜粋):
基板の上方に形成されたパッドと、前記パッドの一部を覆うように形成され、少なくとも第1絶縁層を含むパッド絶縁層と、前記パッド上の前記パッド絶縁層に形成された開口部と、を含み、前記開口部の側壁は、前記第1絶縁層に比して吸湿性が低い保護層で覆われている、半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/82
FI (5件):
H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/82 F
Fターム (22件):
5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033VV11 ,  5F033XX18 ,  5F044EE08 ,  5F064FF27 ,  5F064FF42 ,  5F064GG10

前のページに戻る