特許
J-GLOBAL ID：200903012816367992
電力用縦型電界効果デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103296
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342921
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 望ましいオン抵抗、接合容量、ゲート抵抗、及びゲート駆動電圧を備えた非常に小型のデバイスを得る。【構成】 縦型トランジスタデバイスを作製する方法が提供される。本方法は:n形ソース層12を形成すること;p+の炭素をドープされたゲート層を形成すること;前記ゲート層からゲート構造を形成すること;前記ゲート構造を覆ってn形ドレイン層16を形成して、埋め込み形の炭素ドープのゲート構造を提供すること;の工程を含む。
請求項（抜粋）：
縦型トランジスタデバイスを作製する方法であって:a.n形ソース層を形成すること;b.前記ソース層を覆ってp+炭素ドープのゲート層を形成すること;c.前記ゲート層からゲート構造を形成すること;及びd.前記ゲート構造を覆ってn形ドレイン層を形成すること;の工程を含む方法。
引用特許：
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