特許
J-GLOBAL ID：200903012820488540
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179635
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029304
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 エミッタ幅がサブミクロンレベルの微細バイポーラトランジスタの製造を可能とする。【構成】 エミッタ層32と外部ベース層29との間の距離を決定する多結晶シリコンサイドウォール膜28に不純物を導入した後に、エミッタ層形成の熱処理を行なう。多結晶シリコンエミッタ電極31と多結晶シリコンサイドウォール膜からエミッタ層形成に必要な不純物を供給できるため、エミッタ幅がサブミクロンレベルまで微細化しても安定にエミッタ層を形成できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の表面に、第2導電型の第1の半導体領域が形成され、前記第1の半導体領域の外に第2導電型の第2の半導体領域が形成され、前記第1の半導体領域内に第1の導電型の第3の半導体領域が形成され、前記第2の半導体領域上に第2の導電型を有する第1の多結晶半導体層が形成され、前記第1の多結晶半導体層の表面および側面に絶縁膜が形成され、前記第3の半導体領域上に第1の導電型の第2の多結晶半導体層が形成され、前記絶縁膜と前記第2の多結晶半導体層の間に形成された第3の多結晶半導体膜によって、前記第3の半導体領域が前記第3の半導体領域周辺の全ての位置において、前記第1の多結晶半導体層から一定の等しい距離となり、前記第3の多結晶半導体層が前記第1の導電型を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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