特許

J-GLOBAL ID：200903012827710389

半導体素子のバンプ形成方法

発明者： 朴 俊秀
出願人/特許権者： 金星エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043497
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326111
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 簡便に半導体素子のバンプを形成し、収率および生産性を向上し得る半導体素子のバンプ形成方法を提供する。【構成】 セラミック加熱プレート上に複数個のクロムパッドおよびテストパッドをそれぞれ形成して該クロムパッド上にソルダパッドを形成し、半導体素子のアルミニウムパッド17上にBLM層19を形成して該BLM層19と前記セラミック加熱プレート上のソルダパッドとを結合させ、テストを行ない合格した半導体素子16のソルダパッドのみを加熱してBLM層19とボンディングさせ、セラミック加熱プレートを分離してバンプ15′を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子のバンプを形成する方法であって、所定大きさのセラミック加熱プレート上面に複数個でなる複数列のクロムパッドおよびテストパッドをそれぞれ形成し、それらクロムパッドおよびテストパッドをそれぞれクロム線により連結し、それらクロムパッド上にソルダめっきのスクリーン印刷法によりソルダパッドを形成する第1過程と、半導体素子のアルミニウムパッド上に所定高さのフォトレジスト層を成層した後、該フォトレジスト層をエッチングして半導体素子のアルミニウムパッド部位をオープンさせ、該アルミニウムパッド上にBLM層を形成する第2過程と、該第2過程で形成されたBLM層と前記第1過程で形成されたソルダパッドとを合致させ結合した後、前記セラミック加熱プレート上のテストパッドを利用して半導体素子の事前テストを行なう第3過程と、該第3過程で行なった事前テストにより合格した半導体素子のソルダパッドをソルダめっきの溶融点以上の温度で加熱し、該ソルダパッドをソルダボール状にBLM層上にボンディングさせ、セラミック加熱プレートを分離してバンプを形成する第4過程と、を備える半導体素子のバンプ形成方法。