特許
J-GLOBAL ID：200903012835669703
Al合金薄膜及びその製造方法並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金丸 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102978
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090552
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：
【要約】【目的】 比抵抗:10μΩcm以下であると共に耐熱性等に優れ、液晶表示パネル用配線・電極等として好適に使用し得るAl合金薄膜、及び、耐ストレスマイグレーション及びエレクトロマイグレーション性に優れて断線不良を起こし難く、半導体集積回路用配線膜として好適に使用し得るAl合金薄膜を提供し、更にこれらAl合金薄膜の製造方法を提供する。【構成】 合金成分としてIVa, Va, VIa, VIIa族元素の1種以上:0.1〜5.0at%及びSi, Geの1種以上:0.1〜5.0at%を含有するAl合金よりなるAl合金薄膜、IVa, Va, VIa族元素の1種以上:0.1〜3.0at%及びSi, Geの1種以上:0.1〜6.0at%を含有するAl合金よりなるAl合金薄膜、上記元素を固溶させたAl合金薄膜の形成後に該固溶元素を熱処理により金属間化合物として析出させるAl合金薄膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
合金成分としてIVa, Va, VIa, VIIa族の遷移元素のうちの1種又は2種以上を合計で 0.1〜5.0at%含有すると共にSi, Geのうちの1種又は2種を合計で 0.1〜5.0at%含有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金薄膜。
IPC (2件)：
引用特許：
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