化学ビーム堆積方法並びに化学ビーム堆積装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066402
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264459
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】分子の平均自由工程が十分に長くとれる圧力を容易に確保でき、分子線的性質が十分に保持され、選択成長等がさらに効果的に行える化学ビーム堆積方法および化学ビーム堆積装置を得ることを目的とする。【構成】有機金属ボンベ1を常温〜80 ゚C程度に加熱することで、流量計(MFC)4の入力側に10Torr以上の分圧をかけ、有機金属の流量をキャリアガスを使用せずに直接流量計4を用いて制御する。この制御は、周囲にヒータ2を備えた有機金属ボンベ1と流量計4をまとめて1つの恒温槽中に組み込んだ有機金属供給用恒温槽5中で行われる。水素化物は、別に備えられたボンベより流入する。このようにして、有機金属分子と水素化物分子がそれぞれ真空中に放出され、加熱された基板上で反応し、半導体材料の堆積層が形成される。

請求項（抜粋）：

加熱された基板が設けられた高真空雰囲気中に、常温ないし80 ゚C程度に温められたアルキル基を有する少なくとも一種の分子化合物を放出する工程、上記アルキル基を有する分子化合物のみで上記基板近傍に到達させて、上記真空雰囲気中に放出された第2の分子化合物と上記基板上で反応させることにより、半導体材料の層をエピタキシャル成長させて堆積させる工程を含むことを特徴とする化学ビーム堆積方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/18 , C23C 16/46 , H01L 21/365

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/18 , C23C 16/46 , H01L 21/365

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