特許

J-GLOBAL ID：200903012838815751

半導体装置

発明者： 真有 浩一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288889
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130263
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板とは逆導電型の拡散層を半導体基板と同電位にしつつ、微細化、高密度化を可能にする。【構成】 N+ 型の拡散層21とP+ 型の拡散層32とがSi基板11に設けられており、これらの拡散層21、32の表面に接した状態でシリサイド膜31が広がっていて、拡散層32とシリサイド膜31とを介して、拡散層21がSi基板11と同電位になる。このため、拡散層21、32に対するコンタクト孔やこのコンタクト孔を介して拡散層21、32に接続される配線を設ける必要がなく、これらのコンタクト孔や配線のための領域が不要である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と同電位にされるべき第1の拡散層が前記半導体基板とは逆導電型である半導体装置において、前記半導体基板と同一導電型の第2の拡散層が前記半導体基板に設けられており、金属を含有する導電膜が前記第1及び第2の拡散層の表面に接した状態で広がっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 P