特許
J-GLOBAL ID：200903012838904975
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118110
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316512
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、薄膜半導体を用いた素子において、薄膜半導体の膜厚や基板材料のそりに影響されずに、素子の有効面積率の低減を防止した製造方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、細く絞ったノズル12、15の先からマスク形成材料を噴出させ、基板10上に直接マスクパターン13、14を描画し形成させる。その後、基板10上に薄膜半導体16を形成し、液相中或いは気相中で処理しマスクパターン13ごと薄膜半導体16を除去してパターニングを行う。
請求項（抜粋）：
ノズルからマスク材料を基板に向けて噴出させて基板上にマスクパターンを直接形成した後、上記基板上に薄膜半導体層を形成し、リフトオフにより薄膜半導体層をパターニングすることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 S
, H01L 21/308
