特許

J-GLOBAL ID：200903012838929757

2層プリント回路基板および多層の貫通穴メツキ方法

発明者： ゲルハルト-デイーター・ボルフ ,  フリードリヒ・ヨナス ,  ラインハルト・シヨメツカー
出願人/特許権者： バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284412
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213753
出願日： 1995年10月06日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】 2層プリント回路基板および多層の貫通穴メッキ方法。【解決手段】 導電性を示すポリチオフェンの層を貫通穴の壁の上に取り付けそしてこの貫通穴の壁の上に銅を電気溶着させることによる、プリント回路基板および多層の貫通穴メッキ方法において、この導電性を示すポリチオフェンの層を生じさせる目的で式(I)【化1】[式中、Xは、酸素または単結合を表し、R1およびR2は、互いに独立して、水素またはC1-C4アルキル基を表すか或は一緒になって任意に置換されていてもよいC1-C4アルキレン残基または1,2-シクロヘキシレン残基を形成している]で表される単量体チオフェンのミクロエマルジョンを用い、そしてこれを用いた後か或は同時に酸を用いた処理を行うことで、この導電性を示すポリチオフェンの層を該貫通穴の壁の上に生じさせ、そして最後に、この導電性を示す素地の上に金属を電気溶着させることを特徴とする方法。

請求項（抜粋）：

導電性を示すポリチオフェンの層を貫通穴の壁の上に取り付けそしてこの貫通穴の壁の上に銅を電気溶着させることによる、プリント回路基板および多層の貫通穴メッキ方法において、この導電性を示すポリチオフェンの層を生じさせる目的で式(I)【化1】[式中、Xは、酸素または単結合を表し、R1およびR2は、互いに独立して、水素またはC1-C4アルキル基を表すか或は一緒になって任意に置換されていてもよいC1-C4アルキレン残基または1,2-シクロヘキシレン残基を形成している]で表される単量体チオフェンのミクロエマルジョンを用い、そしてこれを用いた後か或は同時に酸を用いた処理を行うことで、この導電性を示すポリチオフェンの層を該貫通穴の壁の上に生じさせ、そして最後に、この導電性を示す素地の上に金属を電気溶着させることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H05K 3/42 650 ,  C25D 5/54 ,  C25D 7/00 ,  H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 二層回路基板及び多層品のスルーホールのメツキのための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-025967   出願人：バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト