特許

J-GLOBAL ID：200903012841143039

半導体製造装置

発明者： 中東 孝浩
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-269541
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092622
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 面状発熱体のヒータの折返し部で溶解,断線が生じないようにする。【解決手段】 反応室1の面状発熱体2上に基板3を設け、基板3上で導入されたガスの化学反応を行わせ、基板3上に薄膜を形成するCVD,スパッタ等の半導体製造装置において、面状発熱体2を、上面を複数個の扇形の区画8に等分割した円板状の熱板7と、各区画8毎に中心部側から周縁部側へと,周縁部側から中心部側へと,同心円状に折返して形成された溝9と、溝9に埋設された横方向に長寸の断面矩形状のヒータ10と、熱板7上に重合され,赤外線の透過の良好な石英からなる円板状の押え板11とにより構成し、かつ、ヒータ10の折返し部15の幅を同心円状部16の幅の約1.5倍以上にする。

請求項（抜粋）：

反応室の面状発熱体上に基板を設け、前記基板上で導入されたガスの化学反応を行わせ、前記基板上に薄膜を形成するCVD,スパッタ等の半導体製造装置において、前記面状発熱体を、上面を複数個の扇形の区画に等分割した円板状の熱板と、前記各区画毎に中心部側から周縁部側へと,周縁部側から中心部側へと,同心円状に折返して形成された溝と、前記溝に埋設された横方向に長寸の断面矩形状のヒータと、前記熱板状に重合され,赤外線の透過の良好な石英からなる円板状の押え板とにより構成し、かつ、前記ヒータの折返し部の幅を同心円状部の幅の約1.5倍以上にした半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/50 E ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 D