特許
J-GLOBAL ID：200903012841586950
磁気メモリ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040244
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246568
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果型の記憶素子を備え、その記憶素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行う磁気メモリ装置において、磁化反転電流の低減を可能とする。【解決手段】 磁気抵抗効果型の記憶素子1に近接するように、高透磁率を持つ軟磁性材料からなる一対の磁極片6を並設するとともに、これら一対の磁極片6がその並び方向と略直交する方向に流れる書き込み電流によって励磁されるように、磁気メモリ装置を構成する。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果型の記憶素子を備え、当該記憶素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行う磁気メモリ装置において、前記記憶素子に近接するように、高透磁率を持つ軟磁性材料からなる一対の磁極片が並設されるとともに、前記一対の磁極片は、当該一対の磁極片の並び方向と略直交する方向に流れる書き込み電流によって励磁されるものであることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/14 E
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
