特許
J-GLOBAL ID：200903012843495099
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334358
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036874
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 チップそりを防止し、チップサイズを大型化しても放熱特性が劣化することのない高周波高出力半導体装置およびの製造方法を実装方法を得ることを目的とする。【構成】 チップの発熱部に対応する半導体基板の裏面の放熱部にのみAuPHSを、その他の部分には反りを防止するためのハニカム状膜あるいはグラファイト繊維複合メッキを形成したものである。また該複合メッキの上層にAu-Sn合金ハンダ層を電解メッキで形成したものである。【効果】 素子発熱部からの放熱効果を損なうことなしに、チップ反りが低減でき、チップサイズの大型化が図れる。
請求項（抜粋）：
基板上の第1の面側に素子が形成され、該第1の面側とは反対の第2の面側に放熱手段を備えた半導体装置において、前記放熱手段は、前記基板の第2の面上の前記素子の発熱部に位置合わせされた領域に、メッキにより形成した、良熱伝導性材料からなる第1の層と、前記基板の第2の面上の前記第1の層形成領域以外の部分に、良熱伝導性材料からなる球状の微粒子を該微粒子間に空隙が生じるように積層して形成した、ハニカム状の第2の層とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/36 Z
, H01L 23/12 J
