特許
J-GLOBAL ID:200903012845591087

静電保護回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-063993
公開番号(公開出願番号):特開2000-260944
出願日: 1999年03月10日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 別系統の複数の電源レベルやグランドレベルを有する半導体集積回路を静電気やサージ電圧による破壊から有効に保護すること。【解決手段】 同一系統の電源やグランドに対するサージ電圧や静電気の静電保護回路を形成するダイオードD1〜D4の他に、別系統の電源VDD、VCC及び別系統のグランドPGND、VSS間に、p側を共通接続したダイオードD5、D6の直列接続回路及びp側を共通接続したダイオードD7、D8の直列接続回路を挿入することにより、別系統の電源VDDとVCC間や別系統のグランドPGNDとVSSの回路間に発生する静電気やサージ電圧を、前記挿入したダイオードの直列回路を通して別系統の電源やグランドに逃すことができ、別系統の複数の電源レベルやグランドレベルを有する半導体集積回路を静電気やサージ電圧から有効に保護することができる。
請求項(抜粋):
別系統の複数の電源レベルやグランドレベルを有する半導体集積回路をサージ電圧や静電気から保護する静電保護回路において、前記別系統の複数の電源間又は別系統の複数のグランド間を、高電圧が加わった時のみ導通する素子で接続したことを特徴とする静電保護回路。
IPC (3件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H05F 3/02
FI (2件):
H01L 27/04 H ,  H05F 3/02 L
Fターム (8件):
5F038BE09 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ20 ,  5G067AA42 ,  5G067DA02

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